[发明专利]掺杂离子的薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110699209.1 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113517351A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 曹一心;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂离子的薄膜晶体管，其包括衬底、设置在衬底一表面上的栅电极、设置在衬底另一表面上的绝缘层、设置在绝缘层表面上的金属氧化物半导体层、以及设置在金属氧化物半导体层表面上的源电极和漏电极，绝缘层为掺杂离子的高介电常数材料绝缘层，离子带来了丰富的电荷，从而使得器件更容易形成双电层和发生离子掺杂，从而增大金属氧化物半导体层的电导率，使其适合模拟生物突触的长时间记忆特性；且使得薄膜晶体管器件有着更大的弛豫时间，传统的薄膜晶体管的弛豫时间大约为数十毫秒，而掺杂了离子的薄膜晶体管的弛豫时间为二百至三百毫秒，与生物突触在一个数量级，因此更适合模拟生物突触。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 离子 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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