[发明专利]具有无磁场辅助磁化翻转效应的单层薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110699600.1 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113257995B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张静言;王守国;窦鹏伟;吕浩昌;郑新奇;申见昕 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 杨云 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有无磁场辅助磁化翻转效应的单层薄膜及其制备方法，步骤S1：在衬底基片上制备厚度可控的楔形铁磁合金单层，铁磁合金包括铁磁元素和非磁元素，楔形铁磁合金单层的厚度不均一且沿薄膜面内方向单调变化；步骤S3：采用高温快速退火对楔形铁磁合金单层的各个微区域进行有序化处理；步骤S5：通过离子辐照对有序化处理后的楔形铁磁合金单层的连续区域进行辐照处理，得到铁磁合金单层薄膜。本发明制备的铁磁合金单层薄膜在无磁场辅助下实现磁化翻转，以此作为信息磁存储材料，实现单个存储单元的磁矩操作。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 磁场 辅助 磁化 翻转 效应 单层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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