[发明专利]一种改善Cu基体与碳基薄膜结合力的方法有效
| 申请号： | 202110700140.X | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113403577B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 吴艳霞;于盛旺;高洁;刘颖;郑可;黑鸿君;周兵;马永;王永胜 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/34;C23C16/04;C23C16/02;C23C16/26;C23C16/50;C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 王思俊 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明公开一种提高Cu基体与碳基薄膜结合力的方法。该方法是通过以下步骤实现的：采用双辉渗金属技术在覆有模板的Cu基体表面制备亲碳金属过渡层骨架，去除模板后采用该技术对基体及骨架表面进行高密度Ar |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 cu 基体 薄膜 结合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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