[发明专利]一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法有效
| 申请号： | 202110700564.6 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113343535B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 樊嘉杰;钱弈晨 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/27;G06N3/12;G06F111/04;G06F111/06;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 陆惠中;赵旭 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法，属于封装领域，包括：S1构建SiC功率器件的三维模型，确定SiC功率器件的结构和参数；S2基于经验公式获得关于盲孔结构的热阻模型和力学模型；S3通过多目标优化遗传算法对热阻模型和力学模型进行优化，获得盲孔结构的最优结果；S4根据S1中三维模型，在基板上确定盲孔分布的可行域；S5对于可行域内的盲孔位置分布进行有限元仿真实验；S6构建盲孔层中关于盲孔位置分布的最大热应力模型和最大散热温度模型，并获得盲孔位置分布的最优结果；S7根据S3和S6获得SiC功率器件中盲孔结构与位置分布的设计。本发明方法合理有效，能够设计出在高温条件下具有高可靠性的嵌入式SiC功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 嵌入式 sic 功率 器件 封装 设计 方法 | ||
【主权项】：
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