[发明专利]一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法有效
| 申请号： | 202110701740.8 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113430649B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张保国;邵永亮;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙) 11556 | 代理人： | 付金豹 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 调控 直接 生长 剥离 氮化 方法 | ||
【主权项】：
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