[发明专利]阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法有效
| 申请号： | 202110701742.7 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113430641B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 邵永亮;张保国;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/18;C25D21/12;C30B29/40;C25D7/12;C25D3/22 |
| 代理公司： | 北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙) 11556 | 代理人： | 付金豹 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中，电沉积金属阻碍非极性面GaN生长，产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法，仅在样品半极性面形成了阻碍结构，借助空位辅助分离原理，制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 阻碍 极性 氮化 生长 制备 剥离 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司，未经齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110701742.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
