[发明专利]一种晶种诱导微波合成的SiC晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 202110702201.6 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113264774A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张锐;关莉;王海龙;李哲;张新月;高前程;赵彪;郭少杰;李明亮;范冰冰 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/65 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 450046 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶种诱导微波合成的SiC晶体及其制备方法，涉及无机非金属材料技术领域。包括以下步骤：将硅粉、纳米碳黑及SiC晶种均匀混合后，获得混合粉体，再将混合粉体压制成坯体，随后采用微波加热，于800～1100℃保温15～30min合成SiC晶体，即得所述晶种诱导微波合成SiC晶体。本发明提供方法相比于工业上现用的晶种诱导技术，本文工艺将极大的降低SiC晶体合成的难度和工艺条件。微波加晶种复合诱导合成SiC具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 诱导 微波 合成 sic 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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