[发明专利]基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构有效
| 申请号： | 202110702629.0 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113257992B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 胡训博;叶钊;傅邱云;凌寒冰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;G11C11/16;G11C11/18 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 邓彦彦;廖盈春 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构，包括：拓扑绝缘体层、磁子阀部件及金属电极由下至上依次位于衬底上；磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层及第二铁磁绝缘体层，或磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、非铁磁层及第二铁磁绝缘体层；所述第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同或者相反的磁矩方向；磁子阀结构的逆自旋霍尔电压在所述拓扑绝缘体层通入电流前后电平状态会改变。本发明利用拓扑绝缘体的高自旋霍尔角和高电导率特性，提升电流翻转磁矩的效率，可以将该磁子阀结构作为一种高效率、低损耗的新型存储器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 拓扑 绝缘体 材料 自旋 轨道 转矩 效应 磁子阀 结构 | ||
【主权项】：
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