[发明专利]QD发光层、量子点发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110702697.7 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113421986A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 宋斌;梁凯旋;姚琪 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵丽婷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种QD发光层、量子点发光器件及其制备方法，所述QD发光层包括：至少两层子QD发光层，紧贴着空穴传输层的所述子QD发光层包含的量子点的导带能级小于紧贴着电子传输层的所述子QD发光层包含的量子点的导带能级，且紧贴着空穴传输层的所述子QD发光层包含的量子点的价带能级大于紧贴着电子传输层的所述子QD发光层包含的量子点的价带能级。现有量子点发光二极管性能以及发光寿命普遍较差，本发明通过采用多种具有不同能级结构的量子点来适配对应的电子传输层以及空穴传输层，以此来平衡电子和空穴的注入平衡，从而提高量子点发光二极管的性能以及发光寿命。 | ||
| 搜索关键词： | qd 发光 量子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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