[发明专利]一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110703747.3 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113471399B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 余佳阁 | 申请（专利权）人： | 湖北工程学院 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M10/0525;C23C14/35;D01D5/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 兰岚 |
| 地址： | 432000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法，该方法包括以下步骤：首先，将碳源和硅源按1～24：1的质量比溶解于溶剂中，经搅拌得到预溶液；其次，将预溶液进行静电纺丝，获得预产物；再次，将所述预产物依次经过干燥、固化和煅烧操作，得到Si/C纳米膜；最后，将上述Si/C纳米膜进行真空镀膜，镀一层导电层，即得到高电导率Si/C纳米膜。本发明所制得的高电导率Si/C纳米膜作为锂电负极材料应用时，不仅体现出优异的导电性能，还能显著提高锂离子电池的循环稳定性和倍率性能，能够更好的满足纯电动车电池负极材料的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电导率 si 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北工程学院，未经湖北工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110703747.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种泡桐染色体倍性的快速鉴定方法
- 下一篇：一种呼吸内科医疗用品承载装置
