[发明专利]钕铁硼电子背散射衍射分析样品的制备方法在审
| 申请号： | 202110704200.5 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113514485A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 韩小磊;徐云培;杜志伟;李聪;车聪;付新;李婷;贾荣光;何少卿;彭永刚 | 申请（专利权）人： | 国合通用测试评价认证股份公司;国标（北京）检验认证有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/20008 | 分类号： | G01N23/20008;G01N1/28;G01N1/32;G01N1/34;G01N1/36 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 101400 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钕铁硼电子背散射衍射分析样品的制备方法，属于扫描电镜样品制备技术领域。本发明通过金相镶样、机械研磨、机械抛光、振动抛光和样品清洗等步骤，制备出大区域高质量的样品。采用本方法制备的钕铁硼EBSD的样品，避免了样品在制样过程中被不均匀腐蚀或产生表面离子损伤，EBSD采集装置可以采集到高质量的菊池花样，从而获得样品准确的结构和取向信息；由于采用了镶样的方法制样，本方法对于样品的适用性较好，适用于从微米级粉体到厘米级块体的各种形态的NdFeB样品。本方法制样操作简单，可实施性强，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 电子 散射 衍射 分析 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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