[发明专利]一种AlInGaN半导体发光器件有效
| 申请号： | 202110707146.X | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113257965B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市钱塘新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种AlInGaN半导体发光器件。该AlInGaN半导体发光器件包括：衬底、半导体缓冲层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、多量子阱层、P型空穴输送层、P型电子阻挡层、P型半导体传输层和P型半导体接触层。本发明提供的AlInGaN半导体发光器件通过将P型空穴输送层设置为单层AlInGaN材料层或AlInGaN/AlInGaN超晶格结构层，能够提高量子阱附近空穴的产生率，源源不断地向量子阱中提供大量的空穴，以提高AlInGaN量子阱中电子空穴复合效率，提升AlInGaN发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alingan 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
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