[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110709549.8 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113437147A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李帆;张元雷;刘雯;赵策洲 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法与应用，所述晶体管包括衬底、氮化镓外延层、氮化铝镓势垒层、氧化铝介电层、未被氧化p型氮化镓层、已被氧化p型氮化镓层、源漏极和栅极。所述制备方法包括：(1)在氮化镓外延片上形成有源区；(2)对器件进行高密度氧等离子体处理，依次形成已被氧化p型氮化镓层和氧化铝介电层；(3)刻蚀源漏区表面未被氧化p型氮化镓层，生长金属，分别独立地形成源极和漏极；(4)对器件进行快速热退火，形成欧姆接触；(5)在未被氧化p型氮化镓层表面沉积栅极金属，形成栅极，得到氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明提升了器件的高温及高压耐受性和电学性能，避免了p型氮化镓层刻蚀导致的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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