[发明专利]提高激光诱导石墨烯基电容器比电容的方法和激光诱导石墨烯基电容器有效
| 申请号： | 202110709662.6 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113436912B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 罗斯达;何梅洪 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了提高激光诱导石墨烯基电容器比电容的方法和激光诱导石墨烯基电容器，属于电容器技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤：提供激光诱导石墨烯材料；将所述激光诱导石墨烯材料进行原位焦耳热处理，得到焦耳热处理的激光诱导石墨烯材料，其具有纳米级孔洞；以所述焦耳热处理的激光诱导石墨烯材料作为电极，组装得到比电容提高的激光诱导石墨烯基电容器。本发明通过对激光诱导石墨烯材料进行原位焦耳热处理，能够分解激光诱导石墨烯材料中的无定形碳杂质，形成更多的纳米级孔洞，增加了有效的活性表面积，以此能够有效提高激光诱导石墨烯基电容器的比电容；同时本发明提供的方法克服了传统方法操作复杂、生产成本高、环境污染的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 激光 诱导 石墨 电容器 电容 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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