[发明专利]一种具有寄生二极管的三维MOS栅控晶闸管及其制造方法有效
| 申请号： | 202110710255.7 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113437143B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;朱建泽;汪淳朋;杨超;刘超 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/744;H01L21/332 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明通过改进常MOS栅控晶闸管的器件结构，在栅极与阴极之间引入寄生二极管，当栅上电压较大时，使该电压通过寄生二极管的反向导通释放并将栅极‑阴极的电势差钳位在比较低的范围。因此，本发明结构避免了MOS栅控晶闸管应用于脉冲功率领域时因栅介质击穿导致脉冲系统发生失效，以及静电放电时因栅介质击穿导致的器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 寄生 二极管 三维 mos 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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