[发明专利]一种压控型发射极关断晶闸管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110710261.2 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113437135B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;朱建泽;汪淳朋;杨超;刘超 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体的说涉及一种压控型发射极关断晶闸管及其制造方法。本发明通过设计双阴极的MCT器件结构，以及外部连接NMOS和二极管，实现了完全由单个栅极的电压控制的器件的开启和关断。因此，本发明结构避免了发射极关断晶闸管(ETO)由于有三个栅极，导致器件开启与关断时控制复杂，以及ETO导通时需要向GTO门极注入很强的电流触发脉冲，导致其驱动电路复杂和体积庞大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压控型 发射极 晶闸管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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