[发明专利]一种导电膜及其制备方法有效
申请号: | 202110710555.5 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113658746B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 许玮昶;孟祥浩 | 申请(专利权)人: | 苏州思尔维纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 蓝晓玉 |
地址: | 215000 江苏省苏州市相城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种导电膜及其制备方法,该导电膜包括:基材;憎水模板阵列层,导电层和保护层;该导电膜的制备方法为:在基材一侧面制备憎水模板阵列层;在基材一侧面位于相邻憎水模板之间制备导电层;在憎水模板阵列层、导电层远离基材一侧面制备保护层。本发明的方法利用憎水模板阵列层阻隔之后导电液的涂布,使得导电液只停留在之前未被憎水模板阵列层覆盖的地方,从而形成导电线路,来代替传统的激光刻蚀工艺,由于憎水模板阵列层可很好的起到了防止导电层短路,避免出现触控失效;同时由于未使用激光刻蚀工艺,可以实现保护液的厚涂,最终形成的保护层厚度可达0.2~10μm,相比激光刻蚀工艺,本申请的保护层的保护效果大大增强。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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