[发明专利]一种CMOS红外微桥探测器有效
| 申请号： | 202110711254.4 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113447140B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 翟光杰;潘辉;武佩;翟光强 | 申请（专利权）人： | 北京北方高业科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/24 | 分类号： | G01J5/24 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 安伟 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种CMOS红外微桥探测器，红外微桥探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，红外微桥探测器中，第一柱状结构位于反射层与梁结构之间，第二柱状结构位于吸收板与梁结构之间，第一柱状结构和第二柱状结构均为空心柱状结构，吸收板和梁结构均包括电极层和至少两层介质层，第一柱状结构和第二柱状结构均至少包括电极层。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外焦平面探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，有利于减小第一柱状结构以及第二柱状结构的热导，增加吸收板的面积，提升红外微桥探测器的红外探测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 红外 探测器 | ||
【主权项】：
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