[发明专利]一种基于CMOS工艺的红外微桥探测器有效
| 申请号： | 202110711256.3 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113447141B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 | 申请（专利权）人： | 北京北方高业科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/24 | 分类号： | G01J5/24 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 安伟 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外微桥探测器，红外微桥探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺、IMD工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构中的柱状结构包括至少一层实心柱状结构和/或至少一层空心柱状结构，悬空微桥结构包括吸收板和梁结构，吸收板上形成有至少一个孔状结构，孔状结构至少贯穿吸收板中的介质层；和/或，梁结构上形成有至少一个孔状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外微桥探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差等问题，优化了吸收板的平坦化程度，减小了梁结构的热导，优化了红外微桥探测器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 红外 探测器 | ||
【主权项】：
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