[发明专利]一种加固型CMOS红外探测器在审
| 申请号： | 202110711262.9 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113447142A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 翟光杰;潘辉;武佩;翟光强 | 申请（专利权）人： | 北京北方高业科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/24 | 分类号： | G01J5/24 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 安伟 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种加固型CMOS红外探测器，红外探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，红外探测器中的柱状结构为空心柱状结构，柱状结构至少包括电极层，梁结构包括第一介质层、电极层和第二介质层，吸收板依次包括第一介质层、电极层、热敏感介质层和第二介质层，红外探测器还包括加固结构，加固结构对应柱状结构所在位置设置，加固结构增强柱状结构与悬空微桥结构之间以及柱状结构与反射层之间的连接稳固性。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差等问题，提升了红外探测器的结构力学稳定性，优化了红外探测器的电连接特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加固 cmos 红外探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方高业科技有限公司，未经北京北方高业科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110711262.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于CMOS工艺的红外微桥探测器
- 下一篇：一种双面框类零件的铣削方法
