[发明专利]具有可调电压的场板的LDMOS器件在审
| 申请号： | 202110711669.1 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN115528110A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 岳丹诚;莫海锋 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L27/088 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有可调电压的场板的LDMOS器件，包括：叠层设置的外延层和绝缘介质层，所述外延层内设置有漂移区和阱区，所述漂移区内设置有漏区，所述阱区内设置有源区和掺杂区，所述绝缘介质层内设置有栅极和场板，所述栅极位于所述漂移区和阱区的上方，所述场板至少位于所述漂移区上方；源极、漏极和场板引出结构，其设置在所述绝缘介质层上，所述源极、漏极分别与所述源区、漏区电连接，所述场板引出结构还与所述场板电连接，所述场板的电势能够通过所述场板引出结构进行调节。本发明实施例提供的LDMOS器件在仿真中可以有效降低碰撞电离，使得衬底电流Isub减小90％以上，同时可以将击穿电压提高5V以上，将饱和电流提高25％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可调 电压 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华太电子技术股份有限公司，未经苏州华太电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110711669.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
