[发明专利]单晶生长的方法、装置及单晶体有效
| 申请号： | 202110712578.X | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113549997B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王双丽;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵丽婷 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了单晶生长的方法、装置及单晶体。该方法包括：(1)根据V/G理论，确定生产出完美晶体的V/G窗口范围；(2)获得晶体的长晶速率V，得到长晶固液界面处温度梯度G范围；(3)根据所述温度梯度G范围，依据温度梯度G关于液口距d和晶棒半径r之间的函数F(d，r)，确定所述液口距d或者所述晶棒半径r，以获得所述晶体。由此，可避免频繁地采用复杂的模拟计算才能够获得一定热场下长晶界面处温梯G与液口距d和长晶速率v的相关性，简便地确定液口距d值、界面温度梯度的径向分布和温度梯度值之间的关联，以在实际生产过程中快速地确定液口距d和晶棒半径r。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 方法 装置 单晶体 | ||
【主权项】：
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