[发明专利]一种2.N维油藏芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202110713199.2 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113466102B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王沫然;雷文海 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N15/08 | 分类号： | G01N15/08;G01N1/28;B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 刘凯强;张奎燕 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种2.N维油藏芯片及其制作方法。能够在最大程度地保证真实岩心主要结构特征的同时通过N次刻蚀来调整孔隙的水力半径/水力直径，每一次刻蚀能够实现一种新的深度，2.N维油藏芯片能够实现强非均质情况下的更宽广的孔隙水力半径分布，同时多个深度的油藏芯片在一定程度上具备了准三维结构的特征，即深度方向可以有N次变化使得其具备了一定程度的三维结构特征且不影响其成像效果，相关的设计和制作方法简单，每一次新的刻蚀都在前一次刻蚀的基础上进行，且由于后一次刻蚀的孔隙为更大孔隙，范围更加收缩到孔隙中央，对后一次的刻蚀的精度要求低，具有较强的容错率，不会影响结构的整体连通性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 2. 油藏 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110713199.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
