[发明专利]一种硅光栅增强的石墨烯场效应管太赫兹探测器及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种硅光栅增强的石墨烯场效应管太赫兹探测器及其制备工艺。该探测器包括栅电极、硅基底、栅极介电层、单层石墨烯、源极、漏极。该探测器通过硅光栅对入射太赫兹波的衍射作用激发石墨烯表面等离激元，利用石墨烯等离子体增强效应在源极和漏极之间产生电压差，从而完成光电探测。并且可以通过改变栅极电压，调节石墨烯载流子浓度实现调控耦合太赫兹波的强度和共振频率。该探测器相应的制备工艺简单、操作容易、室温下工作、响应速度快、灵敏度高，可以解决太赫兹探测的重大需求。