[发明专利]基于二维材料的双异质结构的柔性光电探测器及其制备工艺在审
申请号: | 202110714913.X | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113540154A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 杨树明;张泽;王亮亮;吉培瑞;王筱岷;邓惠文;袁野 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L27/30;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/074;H01L51/46;H01L51/42;H01L31/18;H01L51/48 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 闵岳峰 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于二维材料的双异质结构的柔性光电探测器及其制备工艺。该探测器包括聚对苯二甲酸乙二酯基底(PET)、单层二硫化钼、石墨烯、碳纳米管薄膜和金属电极。该探测器一共有两对异质结,分别是碳纳米管薄膜/石墨烯异质结和石墨烯/单层二硫化钼异质结。通过碳纳米管薄膜/石墨烯/单层二硫化钼双异质结的内建电场作用,既可以拓宽光谱响应范围,也可以使该器件在无偏压下可以进行光探测,增强器件的光响应强度。由于器件制备采用的材料都是二维材料,所以器件为柔性可弯曲结构,并且制备工艺操作简单,可靠性强。本发明有助于拓宽光电探测器的应用范围,突破二硫化钼的光谱响应范围,实现技术创新。 | ||
搜索关键词: | 基于 二维 材料 双异质 结构 柔性 光电 探测器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的