[发明专利]半绝缘性砷化镓晶体基板在审
| 申请号： | 202110717986.4 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN113584593A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 河本真弥;木山诚;石川幸雄;桥尾克司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;G01R27/08;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 牛嵩林;王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×10 |
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| 搜索关键词： | 绝缘性 砷化镓 晶体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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