[发明专利]一种功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110718653.3 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451127B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 郭飞;蔡文必;郭锦鹏;陶永洪;王勇;周永田;胡洪兴 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/56;H01L29/872;H01L29/47;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：器件结构包括宽带隙衬底和形成于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层，其中，宽带隙漂移层包括有源区和形成于有源区外围的终端区；在宽带隙漂移层上形成覆盖有源区和终端区的场氧层；在场氧层上形成覆盖有源区和终端区的第一钝化层；刻蚀第一钝化层和场氧层，形成露出有源区的电极设置窗口；通过电极设置窗口形成金属层，金属层在沿宽带隙衬底向宽带隙漂移层的方向高于第一钝化层，金属层与有源区之间为肖特基接触。如此，在进行可靠性测试时，第一钝化层不会因为金属层形变发生开裂，从而增强了功率器件防水汽侵蚀的能力，提高了功率器件在高温高湿环境中长期工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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