[发明专利]一种表征FinFET的自加热效应的结构及应用其的方法在审
| 申请号： | 202110720309.8 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113506827A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表征FinFET的自加热效应的结构，涉及半导体集成电路结构，包括多条鳍，多条鳍同方向排列；两条加热多晶硅和一条检测多晶硅，两条加热多晶硅和一条检测多晶硅同方向排列，两条加热多晶硅与多条鳍交叉，一条检测多晶硅与多条鳍中的其中一条鳍交叉，并一条检测多晶硅位于两条加热多晶硅之间，因检测多晶硅仅与一条鳍交叉而形成1‑Fin晶体管，因此FinFET的自加热效应不会受其它鳍的影响，而能更加准确的表征FinFET的自加热效应，且不易受FinFET制造工艺的影响，尤其是边缘区域的鳍的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表征 finfet 加热 效应 结构 应用 方法 | ||
【主权项】：
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