[发明专利]半导体器件及相关芯片和制备方法在审
| 申请号： | 202110721082.9 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113644123A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨文韬;戴楼成;宋超凡;黄伯宁;刘志华 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 聂秀娜 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体器件及相关芯片、制备方法，包括：N型漂移层以及与N型漂移层相邻的N型场截止层。其中，N型场截止层自由电子的浓度高于N型漂移层自由电子的浓度。N型场截止层包括第一杂质粒子和与第一杂质粒子相互掺杂的第二杂质粒子，第二杂质粒子的半径大于第一杂质粒子的半径。在N型场截止层中，邻近N型漂移层的区域的第一杂质粒子的注入浓度高于其他任意区域的第一杂质粒子的注入浓度。上述结构，可以有效改善在大电感负载电路中，半导体器件在关断过程中产生过高尖峰电压的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 相关 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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