[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法有效
申请号: | 202110722827.3 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113192956B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 华文宇;刘藩东;何波涌;张帜 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种动态随机存取存储器及其形成方法,动态随机存取存储器包括:衬底,衬底具有相对的第一面和第二面,衬底包括若干有源区,各有源区均包括若干沟道区和若干字线区;位于字线区内的字线栅结构;位于沟道区内的第一源漏掺杂区;位于每个沟道区内的第二源漏掺杂区;位于第一面上的若干电容结构;位于相邻的有源区之间的隔离结构,且隔离结构表面相对于第二面凹陷;位于第二面上的介质层,介质层和隔离结构之间具有空腔;位于介质层内的若干位线层。由于空腔能够减小相邻有源区之间的介电常数,进而能够减小与有源区电连接的相邻位线层之间的介电常数,以此降低相邻位线层之间的寄生电容,进而提升最终形成的动态随机存储存储器的性能。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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