[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110724954.7 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113437040B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨天应;刘丽娟 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/544;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；设于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区；设于有源区上的源极、漏极以及栅极，其中，栅极位于源极和漏极之间；设于无源区上的栅极焊盘和漏极焊盘，漏极与漏极焊盘金属连接，栅极和栅极焊盘金属连接；以及设于源极上的源极测试焊盘。该半导体器件能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度，并具有高抗湿气能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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