[发明专利]闪存存储器的操作方法以及闪存存储器

摘要

本发明提供了一种闪存存储器的操作方法以及闪存存储器，闪存存储器包括多个多位存储单元，均可被编程于多阶编程阈值电压其中之一阶，多阶编程阈值电压具有对应的各阶电压值分布区以及各阶预定读取电压，该操作方法包括：检测多阶编程阈值电压中的目标阶编程阈值电压的目标阶实际阈值电压，根据目标阶实际阈值电压，设定目标阶编程阈值电压对应的补偿读取电压，本发明提供操作方法，会根据检测出的多位存储单元在发生电子从浮栅泄露后的目标阶实际阈值电压而设定目标阶编程阈值电压所对应的补偿读取电压，从而避免了因为使用该目标阶编程阈值电压对应的预定读取电压对多位存储单元进行数据读取而发生读取错误的问题出现。