[发明专利]一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法在审
| 申请号： | 202110726846.3 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113536627A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王来利;王见鹏;吴宇薇;张缙;刘意 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/3308;G06F119/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法，首先，在ANSYS Q3D中建立IGBT模块的杂散电感提取模型，得到内部DBC布局的杂散电感矩阵；其次，分析IGBT瞬态开通过程中电流分布不均匀的机理，建立IGBT模块内部各芯片开通损耗的不均匀模型；在COMSOL中建立IGBT模块热阻提取的有限元热模型，得到不同散热条件下各芯片的热阻，包括自热阻和耦合热阻。基于仿真得到的热阻数据，拟合得到IGBT模块内部芯片的热阻网络随散热性能变化的解析模型；最后，在MATLAB脚本中编写多芯片IGBT模块的批量化结温计算程序，并基于不同工况下的最高芯片结温刻画器件的热安全运行域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 igbt 模块 安全 运行 刻画 方法 | ||
【主权项】：
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