[发明专利]晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质有效
| 申请号： | 202110727814.5 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113463184B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张建成 | 申请（专利权）人： | 西门子（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质，该方法包括：获取晶体需要生长到的目标直径；实时采集晶体在生长过程中的实际直径；将目标直径和实际直径作为PID控制的输入，得到PID输出值；根据目标直径和实际直径，确定速度计算公式；根据PID输出值以及速度计算公式，计算晶体的提升速度；根据提升速度，对晶体进行拉升处理。本方案能够提高在晶体生长过程中对提升速度进行控制的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 过程 提升 速度 控制 方法 装置 可读 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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