[发明专利]降低异质外延偏压阈值的方法有效
| 申请号： | 202110730287.3 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113430642B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;王伟华;杨世林;代兵;韩杰才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18;C30B25/16;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 降低异质外延偏压阈值的方法，它为了解决BEN工艺为获得合适外延形核率时偏压阈值较大的问题。降低偏压阈值的方法：一、在衬底上蒸镀一层铱薄膜，然后进行退火处理，衬底的背面和侧面沉积金膜，得到Ir复合导电衬底；二、对CVD腔体抽真空；三、升高CVD腔体内气压和微波发生器的功率分别至22～32Torr和1300W～1900W，衬底升温；四、通入甲烷气体，开启偏压电源，升高偏压至250～325V；五、金刚石生长过程。本发明通过降低CVD腔体气压有效的降低获得足够高外延形核率时所需的偏压阈值，起到了节省能源，降低成本的作用，同时获得足够高的形核密度以及良好的形核均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 外延 偏压 阈值 方法 | ||
【主权项】：
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