[发明专利]一种槽栅多沟道结构GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 202110731752.5 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113644128A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王冲;邓松;马晓华;郑雪峰;何云龙;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种槽栅多沟道结构GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法，高电子迁移率晶体管包括：衬底、至少四层异质结结构、源电极、漏电极、中间层和栅电极，至少四层异质结结构依次层叠在衬底上，且至少四层异质结结构中开设有栅槽，栅槽将至少四层异质结结构形成的二维电子气隔断；源电极嵌入至少四层异质结结构的一端；漏电极嵌入至少四层异质结结构的另一端；中间层位于栅槽中以及至少四层异质结结构的表面上，一端与源电极接触，另一端与漏电极接触，中间层与至少四层异质结结构之间形成二维电子气；栅电极位于栅槽中且位于中间层上。该高电子迁移率晶体管在阈值电压和跨导不严重恶化的条件下，实现了更大的正向电流，得到了更小的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 槽栅多 沟道 结构 gan 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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