[发明专利]一种超快恢复整流二极管芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202110731903.7 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113314413A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴王进;古进;龚昌明;杨波;陈海;何燕杰;唐志甫 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪劲松 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种超快恢复整流二极管芯片的制造方法，通过硅片键合→气体携带源扩散→磨片→硼扩散→喷砂→铂扩散→金属化的步骤制作二极管芯片，本发明通过高低掺杂硅片的键合，达到最大限度降低器件体电阻的要求，从而保证器件具有较小的正向压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 整流二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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