[发明专利]提高金刚石异质外延形核均匀性的方法有效
| 申请号： | 202110732256.1 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN114134566B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 代兵;王伟华;杨世林;朱嘉琦;韩杰才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18;C30B25/12;C23C14/30;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/18;C23C16/27;C23C16/511 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 提高金刚石异质外延形核均匀性的方法，本发明属于异质外延单晶金刚石制备领域，它为了解决常规BEN工艺下偏置电流水平较低，导致金刚石异质外延形核的均匀性较差的问题。提高形核均匀性的方法：一、在衬底上沉积Ir薄膜，然后在退火后的复合衬底的背面和侧面沉积金膜；二、用直流偏压增强形核工艺在样品托上沉积金刚石薄层；三、通入氢气，激活等离子体，通入甲烷气体，控制甲烷的体积分数，开启直流偏压电源，进行偏压增强形核，然后降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长，直至生长结束。本发明使得异质外延所形核所需要的含碳粒子扩散会更加快速，有效避免了形核聚集发生在个别区域，使形核发生位置分布更为分散均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 金刚石 外延 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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