[发明专利]一种基于二硒化钯/薄锗肖特基结的颜色探测系统及其制备方法在审
申请号: | 202110732483.4 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113437106A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 梁凤霞;赵耀祖;刘明明;罗林保;付灿 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0336;H01L31/108;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于二硒化钯/薄锗肖特基结的颜色探测系统及其制备方法,该颜色探测系统是由两个上下平行放置的相同的二硒化钯/薄锗肖特基结颜色探测单元构成,当光从上颜色探测单元的上方,向下逐层照射颜色探测系统时,上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比随被探测光波长的增大而减小,从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明的颜色探测系统可探测的波长范围包括530‑1650nm,跨越了整个可见光区域又涉及一部分近红外波段,且该系统具有准确性和重复性高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 二硒化钯 薄锗肖特基结 颜色 探测 系统 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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