[发明专利]LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110733085.4 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113506819B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨新杰;金锋;乐薇;张晗;宋亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括：衬底，其中形成有第一阱掺杂区和第二阱掺杂区，第一阱掺杂区中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，第二阱掺杂区中形成有第三重掺杂区，第一重掺杂区和第二重掺杂区中形成有金属硅化物层；栅极，其形成于栅氧上，栅氧形成于衬底上；第一金属连线，其底部与金属硅化物层连接；第二金属连线，其底部与第三重掺杂区连接；Z字型阻挡层，其上部与栅极连接，其底部与第二阱掺杂区连接，其底部被第二金属连线截成两段，Z字型阻挡层的上部和底部之间的部位与栅极的侧墙连接。本申请提供的LDMOS器件可在减小Rsp的同时提高器件的BV，在提高器件适用性的基础上提高了其电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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