[发明专利]GaAs基发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110733261.4 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113690354B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;王瑞瑞 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种GaAs基发光二极管芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域。GaAs基发光二极管芯片包括GaAs衬底以及外延层，外延层中的粗化层的与欧姆接触层接触的一面为粗化面，粗化面上除欧姆接触层的设置区域之外的区域为粗化区域，粗化区域上形成有粗化结构；GaAs基发光二极管芯片还包括透明导电层，透明导电层铺设在粗化区域和欧姆接触层上，且透明导电层位于欧姆接触层和P型电极之间，透明导电层为掺钨的氧化铟层。此时，可以得到出光效率好、输出功率强的红外LED芯片器件。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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