[发明专利]一种半导体晶片无损探伤装置及方法有效

专利信息
申请号: 202110733550.4 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113418932B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 田震;李娇;陈冀景;李帅;江丽雯 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01N21/17;G01N21/01
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 李斌
地址: 300000*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供了一种半导体晶片无损探伤装置和方法。半导体晶片包括多个扫描区域,该装置包括激光出射模块、探测光出射模块、光电探测模块、合束模块、光扫描模块及可移动样品台;激光出射模块提供入射激光光束;探测光出射模块提供入射探测光束;入射激光光束和入射探测光束均依次经合束模块和光扫描模块后,投射至晶片的同一投射位置,入射激光光束激发晶片产生光声信号,入射探测光束经晶片反射后携带光声信号生成光声探测光束;光扫描模块改变入射激光光束和入射探测光束在晶片上的投射位置;可移动样品台带动晶片进行运动以改变入射激光光束和入射探测光束投射至晶片的位置所在的扫描区域;光电探测模块根据接收的光声探测光束生成探测结果。
搜索关键词: 一种 半导体 晶片 无损 探伤 装置 方法
【主权项】:
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