[发明专利]用于处理工件的方法、等离子体处理设备及半导体器件有效
| 申请号： | 202110734423.6 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113488383B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 余飞;辛孟阳;李俊良 | 申请（专利权）人： | 北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了用于处理工件的方法、等离子体处理设备及半导体器件，涉及半导体制造领域。具体实现方案为：将工件置于腔室的工件支撑件上，其中，所述工件包括衬底，所述衬底暴露出部分区域；利用工艺气体生成的等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物，将所述工件暴露在所述混合物中进行灰化工艺；在所述灰化工艺的过程中施加偏压功率，使得所述衬底暴露出的部分区域上形成预设厚度的氧化物层。如此，在灰化工艺后得到预设厚度的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 工件 方法 等离子体 设备 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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