[发明专利]一种低中子吸收ZrTiNbAlV难熔铸造高熵合金及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110735016.7 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113549803A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 张中武;马亚玺;张洋;郁永政;杜康;黄涛 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: C22C30/00 分类号: C22C30/00;C22C1/02;C22C16/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提供一种低中子吸收ZrTiNbAlV难熔铸造高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、V=5.08靶;合金表达式为ZraTibNbcAldVe,合金表达式中a、b、c、d、e分别表示各元素的原子百分含量,且满足以下条件:a=20‑40at.%,b=20‑35at.%,c=10‑30at.%,d=2‑25at.%,e=2‑25at.%,a+b+c+d+e=100。本发明制备方法简单,合金经过熔炼后能够进行铸造操作,可用也可不用铸造后热处理。工艺可控性强,容易实现工业化生产。
搜索关键词: 一种 中子 吸收 zrtinbalv 熔铸 造高熵 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
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