[发明专利]一种低中子吸收ZrTiNbAlV难熔铸造高熵合金及其制备方法在审
申请号: | 202110735016.7 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113549803A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 张中武;马亚玺;张洋;郁永政;杜康;黄涛 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;C22C1/02;C22C16/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: |
本发明提供一种低中子吸收ZrTiNbAlV难熔铸造高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、V=5.08靶;合金表达式为Zr |
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搜索关键词: | 一种 中子 吸收 zrtinbalv 熔铸 造高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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