[发明专利]氧化锌包覆氧化铜纳米线的异质结阵列的制备方法有效
| 申请号： | 202110737254.1 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113517374B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈子博;吴强;李雪;何倩;焦云飞;韩旭然;陈剑宇;应世强;李谊;马延文 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京亿浦先进材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0336;C23C14/08;C23C14/32;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌包覆氧化铜纳米线的异质结阵列的制备方法，本发明在液相法生长的氧化铜纳米线的基础上，将其作为反应衬底，采用弧光放电等离子体技术将氧化锌颗粒均匀沉积在氧化铜纳米线表面，形成均匀稳定的氧化锌修饰的氧化铜纳米线异质结阵列结构。本发明的好处在于利用新型气相沉积技术可在氧化铜纳米线表面一步沉积氧化锌颗粒，且氧化锌涂层与氧化铜纳米线表面具有强的结合力，且可大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 氧化铜 纳米 异质结 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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