[发明专利]一种ZrTiNbAlV低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法在审
| 申请号： | 202110737420.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113462948A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张中武;马亚玺;张洋;郁永政;杜康;黄涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;C21D1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种ZrTiNbAlV低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法。本发明提供一种兼具低中子吸收截面和优异力学性能的难熔高熵合金及其制备方法，该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面：Zr＝0.185靶、Ti＝6.09靶、Nb＝1.15靶、Al＝0.231靶、V＝5.08靶；合金表达式为Zr |
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| 搜索关键词： | 一种 zrtinbalv 中子 吸收 截面 难熔高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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