[发明专利]制备钙钛矿膜层的系统和方法及其应用在审
申请号: | 202110738058.6 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113471367A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 李明洁;王雪戈;吴俊杰;邵君;于振瑞 | 申请(专利权)人: | 无锡极电光能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;C30B29/54;C30B28/14 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 孙立波 |
地址: | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了制备钙钛矿膜层的系统和方法及其应用,所述系统包括:近空间升华设备、气相输送设备和基片退火设备,其中,所述近空间升华设备包括第一准备腔室、近空间升华腔室和第一出片腔室;所述气相输送设备包括第二准备腔室、气相反应腔室、第二出片腔室和气相输送腔室。采用该系统制备钙钛矿膜层不依赖基底的平整度,可在绒面基底上或具有较大粗糙度的基底上制备大面积均匀的钙钛矿膜层,同时采用该系统可以同时掺杂有机成分和无机成分,并且可以实现各组分含量的精确掺杂,钙钛矿膜层的晶体纯度高且形貌可控,从而显著提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和电性能。 | ||
搜索关键词: | 制备 钙钛矿膜层 系统 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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