[发明专利]用于提高外延片波长均匀性的石墨基板有效
| 申请号： | 202110739044.6 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113690172B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;梅劲;肖云飞;陆香花;陈张笑雄;艾海平 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L33/00;C23C16/455;C23C16/458;C30B25/12;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板包括多个子基板和连接轴，所述多个子基板呈环形间隔连接在所述连接轴的外周壁上，且所述多个子基板呈涡轮扇叶状布置，每个所述子基板的上表面均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽，所述多个子基板上的多个凹槽呈多圈环形布置。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 外延 波长 均匀 石墨 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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