[发明专利]高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体光电技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括衬底与n个相互间隔地层叠在衬底上的外延结构，衬底包括依次层叠的绝缘导热层、导电金属层及衬底主体。n个外延结构中存在相互独立的两个外延结构之间的互联。衬底主体起到支撑及源极连接作用。导电金属层导电并键合到绝缘导热层，便于制备。绝缘导热层、导电金属层及衬底主体的制备要求以及成本较低。导电金属层用于引出引脚，不需要额外从高电子迁移率晶体管芯片上剥离衬底，也可以后续封装等操作。减少制备手续，可以降低最终得到的HEMT的成本的同时保证HEMT的质量。