[发明专利]单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法有效
| 申请号： | 202110740212.3 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113466759B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈伟斌;冷群文;朱大鹏;颜世申 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法，衬底上设置有全桥电路，全桥电路包括均为长条形的两个磁阻单元Ⅰ和两个磁阻单元Ⅱ2，全桥电路分成上半部分的两个桥臂和下半部分的两个桥臂，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2平行相对，磁阻单元Ⅰ长轴方向与磁阻单元Ⅱ2的长轴方向一致；磁阻单元Ⅰ、磁阻单元Ⅱ2由磁性薄膜材料组成，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2的自旋产生层的电流流向相反。本发明后期封装更为方便，可靠性强，且封装成本低，设计具有灵活性，根据不同应用，易于设计传感器的灵敏度和测量范围。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 磁场 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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